型号: BUK9E1R6-30E,127
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 50
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： TrenchMOS??
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 120A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 1.4 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 113nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 16150pF @ 25V
功率 - 最大值： 349W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装： I2PAK
其它名称： 568-9869-5934066508127BUK9E1R630E127
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