型号: BUK9K18-40E115
功能描述: MOSFET Dual N-channel 40 V 19.5 mo FET
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 30 A
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Rds On-漏源导通电阻: 17.1 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 15 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V
Qg-栅极电荷: 14.5 nC
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 38 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-1205-8
封装: Reel
商标: NXP Semiconductors
通道模式: Enhancement
配置: Dual
下降时间: 9.9 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 4.6 ns
工厂包装数量: 1500
典型关闭延迟时间: 17.5 ns
典型接通延迟时间: 4 ns
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