型号: BUK9K89-100E,115
功能描述: MOSFET Dual N-channel 100 V 89 mo FET
制造商: Nexperia
制造商: Nexperia
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: LFPAK56D-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 12.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 75.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压: 15 V
Qg-栅极电荷: 16.8 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 38 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
晶体管类型: 2 N-Channel
商标: Nexperia
下降时间: 12.1 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 5.8 ns
工厂包装数量: 1500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 22.1 ns
典型接通延迟时间: 3.6 ns
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