型号: BUK9Y19-55B/C2,115
功能描述:
制造商: Nexperia
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 46A
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 18nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1992pF @ 25V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 17.3 毫欧 @ 20A，10V
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳： SC-100，SOT-669
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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