型号: BUK9Y30-75B/C2,115
功能描述:
制造商: Nexperia
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 75V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 34A
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 19nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 2070pF @ 25V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 28 毫欧 @ 15A,10V
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: LFPAK56,Power-SO8
封装/外壳: SC-100,SOT-669
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:Alien
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