型号: BUL1102EFP
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage fast switching NPN power transistor
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 450 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 12 V
最大直流电集电极电流: 4 A
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
系列: BUL1102E
高度: 16.4 mm
长度: 10.4 mm
封装: Tube
宽度: 4.6 mm
商标: STMicroelectronics
集电极连续电流: 4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 35 at 250 mA, 5 V, 12 at 2 A, 5 V
Pd-功率耗散: 30 W
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
单位重量: 2.565 g
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