型号: BUL654
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) IGBT & Power Bipolar
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
配置: Single
晶体管极性: NPN
集电极—基极电压 VCBO: 700 V
集电极—发射极最大电压 VCEO: 400 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 9 V
最大直流电集电极电流: 12 A
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
商标: STMicroelectronics
直流集电极/Base Gain hfe Min: 15 at 10 mA at 2 V, 15 at 2 A at 2 V, 7 at 6 A at 2 V, 4 at 12 A at 5 V
最小工作温度: - 65 C
封装: Reel
Pd-功率耗散: 80000 mW
系列: 500V to 1000V Transistors
联系人:樊勉
电话:17621743344
联系人:陈欣
电话:13725554160
联系人:赵伟滨
电话:19926488141
Q Q:
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