型号: BUX86P
功能描述: Silicon Diffused Power Transistor
制造商: PHILIPS [Philips Semiconductors]
安装类型: 通孔
宽度: 2.8mm
封装类型: SIP
尺寸: 11.1 x 7.8 x 2.8mm
引脚数目: 3
晶体管类型: NPN
最低工作温度: -40 °C
最大功率耗散: 42000 mW
最大发射极-基极电压: 5 V
最大基极-发射极饱和电压: 1 V
最大直流集电极电流: 0.5 A
最大集电极-发射极电压: 400 V
最大集电极-发射极饱和电压: 1 V
最小直流电流增益: 26 V
最高工作温度: +150 °C
每片芯片元件数目: 1
类别: 双极功率
配置: 单
长度: 7.8mm
高度: 11.1mm
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