型号: BUZ11A
功能描述: SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
制造商: STMicroelectronics
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 50 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 26 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.055 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220
封装: Tube
下降时间: 20 ns
最小工作温度: - 65 C
功率耗散: 75 W
上升时间: 95 ns
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 50 ns
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