型号: BUZ11_NR4941
功能描述: ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET BUZ11_NR4941, 30 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商: ON Semiconductor
通道类型： N
最大连续漏极电流： 30 A
最大漏源电压： 50 V
最大漏源电阻值： 40 m0hms
最小栅阈值电压： 2.1V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： TO-220AB
安装类型： 通孔
引脚数目： 3
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 75 W
高度： 16.51mm
典型输入电容值@Vds： 1500 pF@ 25 V
宽度： 4.83mm
典型接通延迟时间： 30 ns
典型关断延迟时间： 180 ns
晶体管材料： Si
每片芯片元件数目： 1
最高工作温度： +150 °C
长度： 10.67mm
尺寸： 10.67 x 4.83 x 16.51mm
最低工作温度： -55 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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