BUZ31 H3045A规格参数_BUZ31 H3045A全国代理商/分销商

型号: BUZ31 H3045A
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 1,000
类别：分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： SIPMOS®
包装：带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 14.5A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 200 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1120pF @ 25V
功率 - 最大值： 95W
安装类型：表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装： PG-TO263-3
其它名称： BUZ31 H3045A-NDBUZ31 L3045ABUZ31 L3045A-NDBUZ31H3045AATMA1BUZ31L3045AXTSP000102175SP000736084