型号: BUZ32H
功能描述: MOSFET N-Ch 200V 9.5A TO220-3
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 9.5 A
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Rds On-漏源导通电阻: 400 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 75 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 30 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 40 ns
系列: BUZ32
工厂包装数量: 500
商标名: OptiMOS
典型关闭延迟时间: 55 nS
零件号别名: BUZ32HXKSA1 SP000682998
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