型号: BUZ341
功能描述: MOSFET
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 33 A
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Rds On-漏源导通电阻: 70 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 170 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-218-3
商标: Infineon Technologies
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 160 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 110 ns
典型关闭延迟时间: 450 ns
典型接通延迟时间: 40 ns
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：廖先生
电话：13926543930
Q Q:
联系人：吴小姐，曹先生
电话：18207603663
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13510157626
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：马信洪
电话：15889772787
Q Q:
联系人：庄
电话：88888888
Q Q:
联系人：李练武
电话：18218418913
Q Q:
联系人：苏小姐
电话：13688820728
Q Q:
