型号: BUZ73 H
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装: 500
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: SIPMOS®
包装: 管件
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 7A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 400 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 530pF @ 25V
功率 - 最大值: 40W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: PG-TO220-3
其它名称: BUZ73HBUZ73HXKSA1SP000683000
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