型号: BUZ906P
功能描述: Magnatec Si P沟道 MOSFET BUZ906P, 8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247封装
制造商: Magnatec
通道类型： P
最大连续漏极电流： 8 A
最大漏源电压： 200 V
最大漏源电阻值： 1.5 0hms
最大栅阈值电压： 1.5V
最大栅源电压： -14 V、+14 V
封装类型： TO-247
安装类型： 通孔
引脚数目： 3
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 125 W
每片芯片元件数目： 1
尺寸： 16.26 x 2.49 x 21.46mm
最高工作温度： +150 °C
晶体管材料： Si
典型输入电容值@Vds： 734 pF @ 10 V
典型关断延迟时间： 60 ns
典型接通延迟时间： 120 ns
高度： 21.46mm
长度： 16.26mm
宽度： 2.49mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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