型号:  BVSS138LT1G

功能描述:  

制造商:  ON Semiconductor

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  200mA（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  1.5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  50pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  225mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  3.5 欧姆 @ 200mA，5V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

封装形式Package：  SOT-23

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  50V

连续漏极电流ID：  0.2A

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  50pF @ 25V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  3.5 欧姆 @ 200mA，5V

FET 类型：  N 沟道

漏源极电压（Vdss）：  50V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  200mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  1.5V @ 1mA

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs