型号: BY550-1000G
功能描述: DIODE GEN PURP 1000V 5A DO201AD
制造商: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Series: -
Package: Bag
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Current - Average Rectified (Io): 5A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): -
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1000 V
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AD, Axial
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
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