型号: BZD17C11P R3G
功能描述:
制造商: Taiwan Semiconductor
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）： 11V
偏差： ±5.45%
功率 - 最大值： 800mW
阻抗（最大值）（Zzt）： 7 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流： 4µA
电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr： 8.2V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf： 1.2V
电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If： 200mA
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： DO-219AB
供应商器件封装： Sub SMA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：李先生
电话：13267088774
Q Q:
联系人：Alien
电话：17080955875
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：骆小姐，周小姐，高先生，曹先生
电话：18124020586
Q Q:
联系人：李
Q Q:
联系人：张先生
电话：17602007745
Q Q:
联系人：Sam
电话：13267088774
Q Q:
联系人：邓佳
电话：15217037468
Q Q:
联系人：王利强
电话：18502198895
Q Q:
