型号: BZD17C200P M2G
功能描述:
制造商: Taiwan Semiconductor
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）： 200V
偏差： ±6%
功率 - 最大值： 800mW
阻抗（最大值）（Zzt）： 750 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流： 1µA
电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr： 150V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf： 1.2V
电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If： 200mA
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： DO-219AB
供应商器件封装： Sub SMA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：岳先生
电话：13923765194
Q Q:
联系人：吕年英
电话：13510558532
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：柯先生
电话：15072058203
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联系人：李经理
电话：010-62982657
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联系人：唐先生
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联系人：赵先生
电话：13425145860
Q Q:
