型号: BZD17C51P RTG
功能描述:
制造商: Taiwan Semiconductor
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）： 51V
偏差： ±5.88%
功率 - 最大值： 800mW
阻抗（最大值）（Zzt）： 60 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流： 1µA
电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr： 39V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf： 1.2V
电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If： 200mA
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： DO-219AB
供应商器件封装： Sub SMA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：吴小姐，曹先生
电话：18207603663
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联系人：全小姐
Q Q:
联系人：王先生
电话：13683302275
Q Q:
联系人：廖先生，连敏妹
电话：18898775818
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联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
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联系人：肖先生，刘先生
电话：15817200827
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联系人：郑希明
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电话：15019902970
Q Q:
