型号: BZM55C8V2-TR3
功能描述:
制造商: Vishay
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）： 8.2V
功率 - 最大值： 500mW
阻抗（最大值）（Zzt）： 50 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流： 100nA @ 6.2V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf： 1.5V @ 200mA
工作温度： -65°C ~ 175°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 2-SMD，无引线
供应商器件封装： MicroMELF
Ir - 反向电流： 100nA
Pd-功率耗散： 500 mW
Vf - 正向电压： 1.5V
Vz - 齐纳电压： 8.2 V
Zz - 齐纳阻抗： 7 Ohms
安装风格： SMD/SMT
封装/外壳： MicroMELF-2
最大工作温度： + 175 C
测试电流： 5 mA
电压容差： 5 %
电压温度系数： 0.08 %/K
直径： 1.2mm
端接类型： MELF
配置： Single
长度： 2mm
齐纳电流： 100 nA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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