型号: BZS55C3V6 RXG
功能描述:
制造商: Taiwan Semiconductor
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 3.6V
偏差: ±5%
功率 - 最大值: 500mW
阻抗(最大值)(Zzt): 85 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流: 2µA
电压,耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr: 1V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf: 1.5V
电流,耦合至电压 - 正向(Vf)(最大值)@ If: 10mA
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 1206(3216 公制)
供应商器件封装: 1206
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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