型号: BZT52B30-G RHG
功能描述:
制造商: Taiwan Semiconductor
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）： 30V
偏差： ±2%
功率 - 最大值： 410mW
阻抗（最大值）（Zzt）： 80 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流： 100nA
电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr： 21V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf： 900mV
电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If： 10mA
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOD-123
供应商器件封装： SOD-123
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
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联系人：董先生
电话：19924492152
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联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：胡双能
电话：13828773769
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联系人：刘
电话：13537590237
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联系人：王世蛟
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联系人：范
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Q Q:
