型号: BZT52B4V3-G RHG
功能描述:
制造商: Taiwan Semiconductor
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）： 4.3V
偏差： ±2%
功率 - 最大值： 410mW
阻抗（最大值）（Zzt）： 90 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流： 3µA
电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr： 1V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf： 900mV
电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If： 10mA
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOD-123
供应商器件封装： SOD-123
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
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联系人：杨先生
电话：13352985419
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联系人：董先生
电话：19924492152
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联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
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联系人：陈小姐
电话：18823802745
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联系人：林启旭
电话：15815591278
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联系人：黄堂林
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联系人：吴小姐，李先生
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