型号: BZT52B9V1-G RHG
功能描述:
制造商: Taiwan Semiconductor
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）： 9.1V
偏差： ±2%
功率 - 最大值： 410mW
阻抗（最大值）（Zzt）： 15 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流： 500nA
电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr： 6V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf： 900mV
电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If： 10mA
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOD-123
供应商器件封装： SOD-123
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：董先生
电话：19924492152
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：欧阳先生
电话：18948794636
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：13725598398
Q Q:
联系人：李光祥
电话：18811873364
Q Q:
