型号: BZT52C12-G RHG
功能描述:
制造商: Taiwan Semiconductor
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）： 12V
偏差： ±5%
功率 - 最大值： 350mW
阻抗（最大值）（Zzt）： 25 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流： 100nA
电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr： 8V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf： 900mV
电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If： 10mA
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOD-123
供应商器件封装： SOD-123
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：全小姐
Q Q:
联系人：李小姐
电话：13066809747
Q Q:
联系人：胡双能
电话：13828773769
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：黄先生
Q Q:
联系人：梁昌是
电话：15876982513
Q Q:
