型号: BZT52C22-G RHG
功能描述:
制造商: Taiwan Semiconductor
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 22V
偏差: ±5%
功率 - 最大值: 350mW
阻抗(最大值)(Zzt): 55 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流: 100nA
电压,耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr: 15.4V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf: 900mV
电流,耦合至电压 - 正向(Vf)(最大值)@ If: 10mA
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:陈玲玲
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联系人:余先生,张先生
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Q Q:
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