型号: BZT55B3V9 L0G
功能描述:
制造商: Taiwan Semiconductor
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）： 3.9V
偏差： ±2%
功率 - 最大值： 500mW
阻抗（最大值）（Zzt）： 85 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流： 2µA
电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr： 1V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf： 1V
电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If： 10mA
工作温度： -65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
供应商器件封装： 迷你型 MELF
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
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联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
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联系人：曹先生，骆小姐，周小姐，高先生
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联系人：李
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联系人：赵军
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