型号: BZT55B9V1 L0G
功能描述:
制造商: Taiwan Semiconductor
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）： 9.1V
偏差： ±2%
功率 - 最大值： 500mW
阻抗（最大值）（Zzt）： 10 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流： 100nA
电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr： 6.8V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf： 1V
电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If： 10mA
工作温度： -65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
供应商器件封装： 迷你型 MELF
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：董先生
电话：19924492152
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
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联系人：蔡升航
电话：13202105858
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电话：18617195508
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联系人：王静
电话：13261242936
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联系人：赵军
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联系人：陈坤松
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Q Q:
