型号: BZT55C3V0 L0G
功能描述:
制造商: Taiwan Semiconductor
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）： 3V
偏差： ±5%
功率 - 最大值： 500mW
阻抗（最大值）（Zzt）： 85 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流： 4µA
电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr： 1V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf： 1V
电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If： 10mA
工作温度： -65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
供应商器件封装： 迷你型 MELF
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：董先生
电话：19924492152
Q Q:
联系人：黄小姐
电话：13916909260
Q Q:
联系人：刘群
电话：13129599479
Q Q:
联系人：宁先生
电话：13142358999
Q Q:
联系人：张S
电话：13430881515
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联系人：赵耀
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联系人：郭
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Q Q:
