型号: BZV55B9V1 L1G
功能描述:
制造商: Taiwan Semiconductor
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）： 9.1V
偏差： ±2%
功率 - 最大值： 500mW
阻抗（最大值）（Zzt）： 10 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流： 100nA
电压，耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr： 6.8V
不同 If 时的电压 - 正向（Vf： 1V
电流，耦合至电压 - 正向（Vf）（最大值）@ If： 100mA
工作温度： -65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
供应商器件封装： 迷你型 MELF
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：刘经理
电话：13381567868
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联系人：陈先生，张女士
电话：13606207446
Q Q:
联系人：李先生
电话：13554802629
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：雷丽辉
电话：13543309236
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联系人：谢小姐，朱小姐，曾小姐
电话：17724712767
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