型号:  C2M0025120D

功能描述:  MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 25 mOhm

制造商:  Wolfspeed / Cree

制造商:  Cree, Inc.

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  SiC

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-247-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  1.2 kV

Id-连续漏极电流:  90 A

Rds On-漏源导通电阻:  25 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.4 V

Vgs - 栅极-源极电压:  25 V, - 10 V

Qg-栅极电荷:  406 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  463 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

高度:  21.1 mm

长度:  5.21 mm

产品:  Power MOSFET

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  Silicon Carbide Power MOSFET

宽度:  16.13 mm

商标:  Wolfspeed / Cree

正向跨导 - 最小值:  23.6 S

下降时间:  28.4 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  31.6 ns

工厂包装数量:  30

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  28.8 ns

典型接通延迟时间:  14.4 ns

单位重量:  38 g