型号:  CBR06C689CAGAC

功能描述:  CBR-SMD RF C0G, Ceramic, High Q, 6.8 pF, +/-0.25 pF, 250 VDC, C0G, SMD, Fixed, RF, Ultra High Q, Low ESR, Class I, 0603

制造商:  KEMET Electronics

应用：  RF，微波，高频

安装类型：  表面贴装，MLCC

尺寸 ：  0.063" 长 x 0.031" 宽（1.60mm x 0.80mm）

厚度（最大值）：  0.034"（0.87mm）

工作温度：  -55°C ~ 125°C

特性：  高 Q 值，低损耗

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  6.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  25nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1490pF @ 50V

功率耗散（最大值）：  2.2W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  28 毫欧 @ 6.6A，10V

老化率：  0% Loss/Decade Hour

底座宽度：  0.4mm ±0.15mm

描述：  SMD, Fixed, RF, Ultra High Q, Low ESR, Class I

抗电强度：  500 V

DF耗散系数：  0.0019

特征：  Ultra High Q, Low ESR, Class I

绝缘电阻：  10 GOhms

宽度：  1.6mm ±0.1mm

其他：  Minimum Q = 936

Notes：  Solder Wave or Solder Reflow

包装：  T&R, 180mm, Plastic Tape

Quality Factor：  936

RoHS：  Yes

系列：  CBR-SMD RF C0G

T：  0.8mm ±0.07mm

Termination：  Tin

引脚宽度：  0.8mm ±0.1mm

电压：  250V

偏差：  ±0.25pF

容值：  6.8pF

封装/外壳：  0603

温度系数：  C0G

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs