型号:  CD74HC00EE4

功能描述:   NAND Gate 4-Element 2-IN CMOS 14-Pin PDIP Tube

制造商:  texas instruments

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  25

Logic 型 ：  NAND Gate

数字电路 ：  4

输入数量：  2

特点 ：  -

- 电源电压：  2 V ~ 6 V

电流静态（最大）：  2µA

- 输出电流高，低：  5.2mA, 5.2mA

逻辑水平低：  0.5 V ~ 1.8 V

逻辑水平高：  1.5 V ~ 4.2 V

操作温度 ：  -55°C ~ 125°C

安装类型 ：  Through Hole

供应商器件封装：  14-PDIP

包/盒 ：  14-DIP (0.300, 7.62mm)

包装材料 ：  Tube

包装：  14PDIP

逻辑功能：  NAND

每个元件的选择输入数：  0

最低工作电源电压：  2 V

最大工作电源电压：  6 V

最大传播延迟时间@最大CL：  90@2V|18@4.5V|15@6V ns

工作温度：  -55 to 125 °C

标准包装：  Rail / Tube

加工技术：  CMOS

安装：  Through Hole

逻辑系列：  HC

包装宽度：  6.6(Max)

PCB：  14

筛选等级：  Military

元素输出数：  1

典型工作电源电压：  2.5|3.3|5

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大静态电流：  2

每个芯片的元件数：  4

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  PDIP

标准包装名称：  PDIP

最高工作温度：  125

元素输入：  2-IN

最大高电平输出电流：  -5.2

包装长度：  19.69(Max)

最低工作电源电压：  2

引脚数：  14

包装高度：  5.08(Max) - 0.51(Min)

最大低电平输出电流：  5.2

封装：  Tube

最大工作电源电压：  6

铅形状：  Through Hole

输入数：  2

安装类型：  Through Hole

输出 - 电流高，低：  5.2mA, 5.2mA

逻辑类型：  NAND Gate

供应商设备封装：  14-PDIP

电流 - 静态（最大）：  2µA

电压 - 电源：  2 V ~ 6 V

最大传递延迟@ V ，最大CL：  15ns @ 6V, 50pF

逻辑电平 - 低1.5 V 〜 4 V：  0.5 V ~ 1.8 V

电路数：  4

逻辑电平 - 高：  1.5 V ~ 4.2 V

封装/外壳：  14-DIP (0.300", 7.62mm)

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

外形尺寸：  19.3 x 6.35 x 4.57mm

身高：  4.57mm

长度：  19.3mm

最大高电平输出电流：  -5.2mA

最大低电平输出电流：  5.2mA

最高工作温度：  +125 °C

最低工作温度：  -55 °C

元件数：  4

包装类型：  PDIP

传输延时测试条件：  50pF

宽度：  6.35mm

工厂包装数量：  25

门数：  4

封装/外壳：  PDIP-14

产品：  NAND

产品种类：  Logic Gates

高电平输出电流：  - 5.2 mA

单位重量：  0.032734 oz

传播延迟时间：  90 ns

输出线路数量：  1

低电平输出电流：  5.2 mA

的线路输入/输出数：  2 / 1

电源电压 - 最大：  6 V

电源电压 - 最小：  2 V

RoHS：  RoHS Compliant

输入行数：  2

系列：  CD74HC00

安装风格：  Through Hole

技术：  CMOS

逻辑功能：  NAND

工作温度范围：  -55C to 125C

静态电流：  2 uA

元件数：  4

工作温度分类：  Military

输出数：  1

弧度硬化：  No

工作电源电压（典型值）：  2.5/3.3/5 V