型号:  CDM22012-800LRFP SL

功能描述:  MOSFET 800V N-Ch LR FET 12A 30Vgs 12A 7.6nC

制造商:  Central Semiconductor

制造商:  Central Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220FP

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  800 V

Id-连续漏极电流:  12 A

Rds On-漏源导通电阻:  370 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Qg-栅极电荷:  52.4 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  40 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  UltraMOS

封装:  Tube

产品:  Power MOSFETs

系列:  CDM

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  LR Power MOSFET

商标:  Central Semiconductor

下降时间:  42.5 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  44.8 ns

工厂包装数量:  50

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  171.2 ns

典型接通延迟时间:  21.1 ns