型号: CE3512K2
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
制造商: CEL
制造商: CEL
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: pHEMT
技术: GaAs
Vds-漏源极击穿电压: 4 V
Id-连续漏极电流: 10 mA
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 125 C
Pd-功率耗散: 125 mW
安装风格: SMD/SMT
封装: Bulk
商标: CEL
正向跨导 - 最小值: 54
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 1
子类别: Transistors
单位重量: 16.473 mg
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