型号: CED6861
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：132mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：31W 类型：P沟道
制造商: CET(华瑞)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 12A
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 132mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 31W
类型: P沟道
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：许小姐
电话：18118747668
Q Q:
联系人：钟小姐
电话：13902432378
Q Q:
联系人：李盟
电话：13760247976
Q Q:
联系人：宋亚
电话：13805105291
Q Q:
