型号: CEDM7001VL TR
功能描述:
制造商: Central Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 100mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 0.57nC @ 4.5V
Vgs（最大值）： 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 9pF @ 3V
功率耗散（最大值）： 100mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 3 欧姆 @ 10mA，4V
工作温度： -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： SOT-883VL
封装/外壳： SC-101，SOT-883
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：李小姐
电话：13066809747
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：苏文龙
电话：13008857388
Q Q:
联系人：邝小姐，李先生
电话：13798215024
Q Q:
