型号: CEF10N65
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：850mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道
制造商: CET(华瑞)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 10A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 850mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 60W(Tc)
类型: N沟道
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：朱生，陈小姐
电话：13691729768
Q Q:
联系人：陈生
电话：13510269456
Q Q:
联系人：贾
电话：010-82617449
Q Q:
