型号: CEM6867
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.1A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：130mΩ @ 3.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双P沟道
制造商: CET(华瑞)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 3.1A
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 130mΩ @ 3.1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 2W
类型: 双P沟道
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：路大为
电话：18701500405
Q Q:
联系人：陈崇欣
电话：13632608345
Q Q:
联系人：邹
电话：1372870918
Q Q:
