型号: CEM8311
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.9A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：双P沟道
制造商: CET(华瑞)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 7.9A
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 20mΩ @ 7A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 2W
类型: 双P沟道
联系人：董先生
电话：19924492152
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：吕小姐,陈先生
电话：13760444679
Q Q:
联系人：吴
Q Q:
联系人：沈绪根
电话：18148590336
Q Q:
