型号: CEP12P10
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：315mΩ @ 5.75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：P沟道
制造商: CET(华瑞)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 11A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 315mΩ @ 5.75A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 75W(Tc)
类型: P沟道
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：许小姐
电话：18118747668
Q Q:
联系人：赵伏光
电话：13632611027
Q Q:
联系人：周先生
电话：19879876148
Q Q:
联系人：李经理
电话：13126527014
Q Q:
