型号: CEP6186
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：33A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 19A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：43W(Tc) 类型：N沟道
制造商: CET(华瑞)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 33A(Tc)
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 25mΩ @ 19A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 43W(Tc)
类型: N沟道
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：王小康
电话：18188642307
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：曹小姐
Q Q:
联系人：林秋云
电话：18501616159
Q Q:
联系人：张
电话：88601920
Q Q:
