型号: CEU12N10
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：180mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：43W 类型：N沟道
制造商: CET(华瑞)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 11A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 180mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 43W
类型: N沟道
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：曾先生
Q Q:
联系人：唐波
电话：13826198248
Q Q:
联系人：张先生
电话：13480674181
Q Q:
联系人：李轩
电话：18820011775
Q Q:
