型号: CFY25-20P
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 HiRel X-Band GaAs Gen Purpose MESFET
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 否
晶体管类型: MESFET
技术: GaAs
增益: 9 dB
Vds-漏源极击穿电压: 5 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 5 V to 0.5 V
Id-连续漏极电流: 80 mA
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 250 mW
安装风格: 2000 : SMD/SMT
封装 / 箱体: Micro-X
商标: Infineon Technologies
配置: Single Dual Source
正向跨导 - 最小值: 40 mS
NF—噪声系数: 1.9 dB
工作频率: 12 GHz
P1dB - 压缩点: 15 dBm
工厂包装数量: 1
零件号别名: CFY2520PNZ
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