型号: CG2H40010F
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
制造商: Wolfspeed / Cree
制造商: Cree, Inc.
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN
增益: 16.5 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 120 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流: 1.5 A
输出功率: 10 W
最大漏极/栅极电压: -
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: -
安装风格: Screw Mount
封装 / 箱体: 440166
封装: Tray
工作频率: DC to 6 GHz
商标: Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值: -
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 250
子类别: Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压: - 2.7 V
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