型号: CG2H80030D-GP4
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt
制造商: Wolfspeed / Cree
制造商: Cree, Inc.
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制： 此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN
增益: 16.5 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 120 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流: 3 A
输出功率: 30 W
最小工作温度: -
最大工作温度: + 225 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Die
封装: Gel Pack
工作频率: 8 GHz
商标: Wolfspeed / Cree
产品类型: RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻: 410 mOhms
工厂包装数量: 10
子类别: Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V
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