型号: CGH09120F
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT UHF-2.5GHz, 120 Watt
制造商: Wolfspeed / Cree
制造商: Cree, Inc.
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: HEMT
技术: GaN
增益: 21 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 120 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流: 28 A
输出功率: 20 W
最大漏极/栅极电压: 28 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 56 W
安装风格: Screw Mount
封装: Tray
应用: Telecom
配置: Single
工作频率: 910 MHz
工作温度范围: - 40 C to + 150 C
商标: Wolfspeed / Cree
NF—噪声系数: 3 dB
产品类型: RF JFET Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V
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