型号:  CGH40006P

功能描述:  射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt

制造商:  Wolfspeed / Cree

制造商:  Cree, Inc.

产品种类:  射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:  是

晶体管类型:  HEMT

技术:  GaN

增益:  13 dB

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  120 V

Vgs-栅源极击穿电压 :  - 10 V to 2 V

Id-连续漏极电流:  0.75 A

输出功率:  9 W

最大漏极/栅极电压:  -

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  -

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  440109

封装:  Tray

应用:  -

配置:  Single

高度:  2.79 mm

长度:  4.19 mm

工作频率:  2 GHz to 6 GHz

工作温度范围:  -

产品:  GaN HEMT

宽度:  5.21 mm

商标:  Wolfspeed / Cree

正向跨导 - 最小值:  -

闸/源截止电压:  -

类:  -

开发套件:  CGH40006P-TB

下降时间:  -

NF—噪声系数:  -

P1dB - 压缩点:  -

产品类型:  RF JFET Transistors

Rds On-漏源导通电阻:  -

上升时间:  -

工厂包装数量:  250

子类别:  Transistors

典型关闭延迟时间:  -

Vgs th-栅源极阈值电压:  - 3 V