型号: CGHV22200F
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 GaN HEMT 1.8-2.2GHz, 200 Watt
制造商: Wolfspeed / Cree
制造商: Cree, Inc.
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: GaN
Id-连续漏极电流: 1 A
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
增益: 18 dB
输出功率: 200 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Screw Mount
封装 / 箱体: 440162
封装: Bulk
工作频率: 1.8 GHz to 2.2 GHz
类型: RF Power MOSFET
商标: Wolfspeed / Cree
通道数量: 1 Channel
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, 2 V
Vgs th-栅源极阈值电压: - 3 V
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